Intel и Imec представили технологию 2D-транзисторов, готовую к массовому производству

Научные разработки 2D-транзисторов на основе двумерных материалов ведутся более десяти лет, однако до недавнего времени они не подходили для массового производства. На этой неделе Intel Foundry и Imec продемонстрировали технологию 2D-полевых транзисторов (2DFET), готовую к производству на 300-мм пластинах. Ведущие производители микросхем, такие как Intel, Samsung и TSMC, уже работают над комплементарными полевыми транзисторами (CFET), однако физические ограничения кремниевых каналов ставят под сомнение дальнейшее масштабирование. Для решения этой проблемы рассматриваются 2D-материалы, которые могут формировать тонкие каналы, обеспечивая надежный контроль тока. Основная новинка Intel и Imec заключается в интеграции контактов и затворов, что позволяет создавать масштабируемые контакты с низким сопротивлением. Это исследование важно для будущего производства микросхем с 2D-материалами, хотя их коммерческое применение ожидается не ранее второй половины 2030-х.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: