Intel совместно с imec представила важные результаты в разработке двумерных транзисторов 2DFET, которые могут производиться в условиях массового производства. Несмотря на то, что 2D-транзисторы уже давно исследуются, их интеграция в крупномасштабное производство оставалась проблемой. На недавней конференции было продемонстрировано использование 300-миллиметровых пластин для транзисторов на основе дихалькогенидов переходных металлов, таких как WS₂, MoS₂ и WSe₂. Ключевым достижением стал новый способ интеграции контактов, позволяющий сохранить целостность чувствительных 2D-каналов. Этот метод снижает риски разработки и производства чипов с 2D-материалами, готовя почву для их возможного внедрения в будущем, предположительно, в 2030-х или 2040-х годах. Intel рассматривает 2D-материалы как перспективное решение для дальнейшего развития полупроводниковой технологии.
0
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Вам также может быть интересно
Ведение кадрового учета и расчет заработной платы остаются одними из самых трудоемких процессов в
В последние годы мессенджеры перестали быть исключительно средством личной переписки, превратившись в полноценные платформы
На «АвтоВАЗе» произошли значительные изменения в производственном процессе благодаря внедрению роботизации. Глава компании Максим
21 мая в Каспийске состоялась важная рабочая встреча, целью которой стало активное внедрение методологий
19 мая министр тяжёлой промышленности Индии Х. Д. Кумарасвами объявил, что Тесла завершила переговоры
Чтобы войти в читательский кабинет, вам необходимо восстановить доступ. Для этого введите код, который