Обвинения в краже технологий DRAM у Samsung Electronics

Прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинения десяти фигурантам, замешанным в крупной краже технологий производства 10-нанометровой DRAM-памяти у Samsung Electronics. Из них пятеро, среди которых бывшие сотрудники компании, были арестованы. Ущерб, причиненный Samsung, оценивается в 5 триллионов вон (около 3,5 миллиарда долларов), а для экономики Южной Кореи он составляет десятки триллионов вон. Согласно расследованию, китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла к разработкам экс-начальника отдела Samsung, который вместе с другими бывшими сотрудниками организовал схему хищения технологий. Один из перебежчиков вручную скопировал сотни этапов 18-нанометрового производственного процесса, над которым Samsung работала на протяжении пяти лет. Преступники использовали подставную компанию и даже разработали собственный код для общения, чтобы избежать задержаний. Полученные данные были адаптированы для китайского оборудования, что позволило CXMT начать производство новой памяти в 2023 году, сократив технологическое отставание. Прокуратура расценивает инцидент как угрозу национальной безопасности, поскольку полупроводниковая отрасль составляет более 20% экспорта Южной Кореи. Власти пообещали продолжать борьбу с незаконной передачей технологий за границу.