Инвестиции Samsung и SK hynix в Китай: новая память и модернизация заводов

Во времена президентства Байдена США пытались ограничить возможности корейских производителей памяти, таких как Samsung и SK hynix, в модернизации их заводов в Китае. Однако, компании успешно удержали доступ к американскому оборудованию и активно инвестируют в модернизацию. Так, Samsung Electronics вложила $344 млн в свой завод в Сиане, увеличив затраты на 67,5% по сравнению с прошлым годом. Этот завод является единственным за пределами Южной Кореи, выпускающим микросхемы NAND и обеспечивает до 40% мирового производства. Конкурирующая SK hynix в минувшем году вложила более $663 млн в свои китайские предприятия, включая заводы в Уси и Даляне. Ожидается, что Samsung начнет производить 236-слойные 3D NAND в Китае, в то время как SK hynix переведет свой завод на DDR5, что усиливает их позиции на фоне растущего спроса на память в условиях бума ИИ.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: