Формируемая память типа HBM, известная своей высокой скоростью, продолжает оставаться дорогостоящей и сложной в производстве. По информации издания Business Korea, организация JEDEC планирует внести изменения в требования к высоте стека HBM4E, что облегчит работу производителям как этой, так и будущих версий памяти.
Согласно действующему стандарту JEDEC, максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, в то время как для HBM4 этот показатель равен 775 мкм. Ожидается, что для HBM4E максимальная высота будет увеличена до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов и повысить ёмкость стека. Сегодняшние микросхемы HBM3E могут иметь до 12 ярусов, но уже существуют образцы 16-ярусных чипов.
Снижение требований к производству HBM может привести к уменьшению уровня брака и увеличению объёмов качественной продукции, однако есть и противники нововведений. Южнокорейские производители, такие как Samsung и SK hynix, уже выпускают продукцию, превышающую стандарты JEDEC, и смягчение требований может упростить выход на рынок для новых конкурентов, особенно из Китая.