Ключевым достижением 2-нм техпроцесса стала архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), обеспечивающая снижение утечек тока, увеличение скорости работы на 10-15% и уменьшение энергопотребления на 25-30% по сравнению с 3-нм техпроцессом TSMC. Это особенно важно для серверов ИИ и мобильных устройств, где эффективность расхода энергии становится критичной. Samsung использует опыт GAA на 3-нм техпроцессах для разработки SF2P с MBCFET-транзисторами, что позволяет оптимизировать производительность и энергозатраты. К концу 2025 года Samsung планирует достичь 60% выхода годных изделий для процессоров Exynos 2600. Также 2-нм техпроцесс позволит интегрировать высокоскоростную память HBM4 с пропускной способностью более 15 ТБ/с. Ведется активная гонка за клиентами, где Apple и AMD уже подписали контракты, а Samsung предлагает конкурентные цены на 2-нм пластины. Ожидается, что к середине 2026 года будут выпущены первые чипы для ИИ, что станет шагом к созданию высокоточных систем, необходимых для робототехники.
0
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Вам также может быть интересно
Ведение кадрового учета и расчет заработной платы остаются одними из самых трудоемких процессов в
В последние годы мессенджеры перестали быть исключительно средством личной переписки, превратившись в полноценные платформы
На «АвтоВАЗе» произошли значительные изменения в производственном процессе благодаря внедрению роботизации. Глава компании Максим
21 мая в Каспийске состоялась важная рабочая встреча, целью которой стало активное внедрение методологий
19 мая министр тяжёлой промышленности Индии Х. Д. Кумарасвами объявил, что Тесла завершила переговоры
Чтобы войти в читательский кабинет, вам необходимо восстановить доступ. Для этого введите код, который